真空腔体

一般真空腔体内部是规则的长方体,用一面加热进行热辐射的方式热传导不能合理涵盖整个腔体的内部空间,所以效果不是很理想,.经过试验论证,采取在真空腔体内正上方、正下方、左侧面、右侧面各安装一套加热板加热的方法,采用面对面热辐射方式对腔体内部进行加热.

由于设备在真空状态下采用了上,下,左,右四面四路加热的方法,比单纯一路加热就要复杂多了,这也是温度控制的难点.因此采用PID来进行温度控制调节,控温热偶设置在腔体内部,这样可以更好地控制真空腔体内的温度.

真空腔体是建立在低于大气压力的环境下,以及在此环境中进行工艺制作、科学试验和物理测量等所需要的技术.

用现代抽气方法获得的很低压力,每立方厘米的空间里仍然会有数百个分子存在.

气体稀薄程度是对真空的一种客观量度 ,直接的物理量度是单位体积中的气体分子数.气体分子密度越小,气体压力越低,真空就越高.真空常用帕斯卡或托尔做为压力的单位.

真空腔体制造技术

基板指的是一个大的法兰适配器，可以把一个位置低的腔体或者钟形罩连接到真空泵。基板通常有一个位于中心位置的端口或者法兰连接装置，可连接到真空抽气系统。

脱气箱或者脱气室通常是腔体结构，一般带有铰链接口，可连接不需要高真空环境的其他装置，如塑料样品、血液、粘合剂、化学制品或其他液体的除气设备。

辅助井用于连接抽气系统和钟形罩。

基地井整合了基板和真空密封颈，用焊接接头取代一个真空密封件，可以同时实现基板和密封设备两个部件的功能。

钟形罩由圆柱形的主体和一个半球形或球形的端口组成。可选材料包括玻璃、金属和塑料。标准钟形罩的直径是12英寸，14英寸，18英寸和24英寸。

电解抛光

电解抛光基本原理与化学抛光相同,即靠选择性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。使用真空中气辉光放电构成等离子体，尘土在等离子体中附着电荷，在电场力效果下被驱向电极外表而集。与化学抛光相比，可以消除阴极反应的影响，效果较好。电化学抛光过程分为两步：（1）宏观整平 溶解产物向电解液中扩散，材料表面几何粗糙下降，Ra>1μm。（2）微光平整 阳极极化，表面光亮度提高，Ra＜1μm 。