净化工程在设计时，无论是新建还是重新改造的净化车间，都一定依照***相关标准、规范进行。现在国内的相关企业很多，所以净化工程企业之间的竞争也很激烈，因为科技的发展使得市场对净化工程的要求高了起来，从以前的价格竞争变成了现在的价值竞争。所以相关的净化工程企业应该提高自身的自主研发能力，不断的发展创新，才能适应这个竞争激烈的市场。洁净室中的温湿度控制。洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到 人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。

一般洁净室高度控制在2.60米，对个别较高的设备可在局部加高，而不宜提高洁净区的高度。洁净室的构成是由下列各项系统所组成(在所组成的系统分子中是缺一不可的)，否则将无法构成一完整且品质良好的洁净室。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。

设计净化系统***的原则是相邻二级过滤器的效率不能太接近，也不能相差太大。一般采用初效、中效、亚(或)三级过滤器。也可分四级，增加一级过滤器。洁净室中的温湿度控制。洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到 人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间"

湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。净化工程在设计时，无论是新建还是重新改造的净化车间，都一定依照***相关标准、规范进行。