LED知识产权危机迫在眉睫

我国LED发明和上游比重小

　　我国LED主要集中于中下游领域，中游封装、下游应用环节的占申请总量的64%。在关系到产业长远发展的关键技术环节，仍缺乏核心。

　　从***LED的演变进程看，我国LED的申请进程落后于日本、美国，错过了阶段的技术前期研发阶段和第2个阶段的技术培育孵化阶段，而直接进入了技术的产业化应用阶段。其所产生的影响是我国LED发展的不均衡。从类型上看，我国LED以实用新型及外观设计为主，发明型占比较低，其中国内LED实用型占比为59%，外观设计占比为15%，而LED发明占比仅为26%。

　　我国LED主要集中于中下游领域，中游封装、下游应用环节的占申请总量的64%。其中LED应用申请量，约占总量的43%，LED封装占比约21%，外延及芯片占比分别为18%和17%，衬底占比约1%。外延方面，国内的阱以及缓冲层技术与国外存在量与质的差距。芯片方面，国内的芯片外形技术、表面粗糙化技术和衬底剥离与键合技术欠缺。封装方面，我国技术发展迅速，但基座材料和荧光材料与国外存在差距。特别是在关系到产业长远发展的关键技术环节，我国仍缺乏核心，如蓝光LED激发荧光粉发白光技术、图形衬底技术、LED芯片垂直结构技术、倒装封装技术以及脉冲宽度调制(PMW)电源驱动技术等。

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