ic的质量评估标准

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：

JESD22-A108-AEAJED- 4701-D101②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ）

目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力

测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试

失效机制：电子迁移，氧化层，相互扩散，不稳定性，离子玷污等

参考标准：

125℃条件下1000 小时测试通过IC 可以保证持续使用4 年，2000 小时测试持续使用8年；150℃ 1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

二、环境测试项目（Environmental test items）

PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test,Solder Heat Test

①PRE-CON:预处理测试（ Precondition Test ）

目的: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。

测试流程（Test Flow）:

Step 1:超声扫描仪 SAM (Scanning Acoustic Microscopy)

Step 2: 高低温循环（Temperature cycling ）-40℃(or lower) ~ 60℃(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditi

Step 3:烘烤（ Baking ）At minimum 125℃ for 24 hours to remove all moisture from the package

Step 4: 浸泡（Soaking ）

IC半导体的基础知识(四)

P型半导体

   在纯净的硅(或锗)晶体内掺入微量的三价元素硼(或铟)，因硼原子的外层有三个价电子，当它与周围的硅原子组成共价键结构时，会因缺少一个电子而在晶体中产生一个空穴，掺入多少三价元素的杂质原子，就会产生多少空穴。因此，这种半导体将以空穴导电为其主要导体方式，称为空穴型半导体，简称P型半导体。必须注意的是，产生空穴的同时并没有产生新的自由电子，但原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。

   从以上分析可知，不论是N型半导体还是P型半导体，它们的导电能力是由多子的浓度决定的。可以认为，多子的浓度约等于掺杂原子的浓度，它受温度的影响很小。在一块硅片上采用不同的掺杂工艺，一边形成N型半导体，一边形成P型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成PN结；PN结是构成各种半导体器件的基础。

   1.PN结的形成 

   在一块硅或锗的晶片上，采取不同的掺杂工艺，分别形成N型半导体区和P型半导体区。由于N区的多数载流子为电子(即电子浓度高)，少子为空穴(空穴浓度低)，而P区正相反，多数载流子为空穴(即空穴浓度高)，少子为电子(电子浓度低)；在P区与N区的交界面两侧，由于浓度的差别，空穴要从浓度高的P区向浓度低的N区扩散，N区的自由电子要向P区扩散，由于浓度的差别而引起的运动称为扩散运动。这样，在P区就留下了一些带负电荷的杂质离子，在N区就留下了一些带正电荷的杂质离子，从而形成一个空间电荷区。这个空间电荷区就是PN结。在空间电荷区内，只有不能移动的杂质离子而没有载流子，所以空间电荷区具有很高的电阻率。

数字IC管脚状态

根据CMOS数字IC管脚间的等效结构,给出了无偏置时任意两管脚之间的电压;其次,探讨了地开路时的输出管脚的状态;然后,提取了电源浮空时的等效电路;后,利用所提取的等效电路,对二极管结构电源浮空电位和浮阱结构电源浮空电位进行了计算。

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