与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高压特性

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。

2、高频特性

3、高温特性

在硅材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对于以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。

黑碳化硅颗粒的各种性质及基本结构

由于天然形成的碳化硅很少，生活中绝大多数的碳化硅都是人为加工而来。碳化硅具有很强的硬度，可以作为一种重要的磨料使用。但是区别于其他普通的磨料碳化硅有多方面的性能，可以运用到各个领域，它具有的耐高温性、导热性，导电性等等

碳化硅具有的耐高温性和导热性，使它成为隧道窑或梭式窑的优选窑具材料之一，它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物。从理论上讲，碳化硅均由SiC四面体堆积而成，所不同的只是平行结合或反平行结合。SiC有75种变体,所有这些结构可分为方晶系、六方晶系和菱形晶系。α-SiC是高温稳定型,β-SiC是低温稳定型。β-SiC在2100～2400℃可转变为α-SiC，β-SiC可在1450℃左右温度下由简单的硅和碳混合物制得。利用透射电子显微镜和X射线衍射检测技术可对SiC显微体进行多型体分析和定量测定。为了区别各种不同的结构,需要有相应的命名方法。命名方法常用的是：把低温类型的立方碳化硅叫做β—SiC，而其余六方的、菱形的晶胞结构一律称为α—SiC。这种命名方法与相律惯例以及矿物学命名都不相符，但因其很方便，也就颇为流行。

近年来，发展了一种新的烧结方法，就是在碳化硅中加入0.36%的硼和0.25%以上的碳，在2100℃温度下用普通烧结办法使碳化硅烧结到理论密度的96%。

根据含量的不同可以分为几个等级，一级碳化硅98-99%，二级碳化硅97-95%，三级碳化硅97-80%

在配料和出炉过程中会出现一些保温料和陪烧料，在装炉和出炉过程中会有石墨粉的出现，在原材料和出炉过程中会有二级料，一般厂家为了节省资源，都会把二级材料再次放到加工生产炉中作为下次生产黑碳化硅微粉的原材料。