反应烧结

反应烧结SIC是利用含C粉和SIC粉成型体与气相或液相SI在高温下反应得到SIC的烧结体。其烧结过程不需要添加任何烧结助剂，晶粒中缺陷少，晶界纯度高，对材料的热导性能影响小。原料中的C与外部的反应，一方面可以生产SIC，另一方面引起致密化作用，反应烧结后烧结体内的气孔进一步由SI填充，得到致密且收缩ji小的烧结体，可应用于SIC电子陶瓷领域。自20世纪50年代利用反应熔渗烧结法制备SIC陶瓷以来，为了减少材料的结构缺陷并提高材料的性能，研究者通过不断改进成型方式和改善工艺，提高反应烧结的性能