SiC是一种共价键很强的材料，烧结时的扩散速率相当低，同时其颗粒表面往往覆盖一层相当薄的氧化层，起扩散势垒的作用，没有烧结添加剂，纯SiC是很难烧结致密的，即使用热压工艺也必须选择合适的添加剂，在相当高的温度下（1950~2200℃）才能制得接近理论密度的适合工程用的材料，而且形状和尺寸收到限制，气相浸渗或沉积虽然可得到优良的SiC复合材料，但只限于制备那些对密度要求不高或薄层材料，而且漫长的沉积时间，使成本大大提高。