等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction pla***a）。

蚀刻机和光刻机的区别

这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。 光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这一部分就是必须 的电源电路构造。 蚀刻加工分成二种，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。

蚀刻标牌是指金属标牌的图文与金属表面不在同一个表面，并以蚀刻的方式而制得。它可以是保留图文在原基材的平面，将图文以外的区域通过蚀刻机蚀刻成下凹，称为阳文蚀刻；也可以保留基材表面，使图文区域蚀刻下凹，称为阴文蚀刻。

蚀刻标牌设备具有图文的性，常用与机械设备标牌和一些实用环境恶劣而需要作耐久性标识的场合。

蚀刻标牌设备是传统性的标牌，在以往习惯称为腐蚀标牌，实际上这是很不正确的称谓。腐蚀一词指金属在自然条件下所遭受的***行为的一种结果；而蚀刻则是一种有意识、有选择性的、为达到预期目的的而实施的一种刻意行为。为此腐蚀标牌机从严格的意思上讲，宜改成为蚀刻标牌机更为妥切。

标牌蚀刻的工艺过程，无论是抗蚀刻膜，或者是蚀刻液与蚀刻机的选择，在近年来都有了较大的变化。但所有这些变化，应该承认，它是从传统蚀刻标牌的基础上逐步发展而来。从手动蚀刻到槽子蚀刻（甩刻）到金属标牌蚀刻机自动化蚀刻。从变化的起步到逐步的应用，也足足经历了二十多年，直到目前为止，由于种种原因，还不能完全取消传功工艺。