***近光刻机和蚀刻机一直都是当前***热的话题，可以说光刻机是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，要想制造的芯片，这两个东西都必须。    这俩机器***简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉，这样看起来似乎没什么难的，但是有一个形象的比喻，每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂，这就是这光刻和蚀刻的难度。    光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶（一种可以被光腐蚀的胶状物质），接下来通过光线（工艺难度紫外光＜深紫外光＜极紫外光）透过掩膜照射到硅圆表面（类似投影），因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。    蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻（目前主流），顾名思义，湿刻就是过程中有水加入，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。

喷淋式蚀刻、速度快、精度高，适合于有一定批量的生产，生产易于实现自动化控制，但是设备投入大，同时也不适宜对异形工件及大型工件的蚀刻；侵泡式蚀刻设备投入小，蚀刻（化学蚀刻）方便，使用工件范围广。

工件形状及大小：

对于大型工件由于受设备限制，采用喷淋式蚀刻难于进行，而侵泡式就不会受工件大小的影响。工件形状复杂，在喷淋时有些部位会出现喷淋不到位的情况而影响蚀刻的正常进行，而侵泡式由于是将工件整个侵泡在蚀刻液中，只要保持溶液和工件之间的动态，就能保证异性工件的各个部位都能充满蚀刻液并进行新液与旧液的连续更换，使蚀刻能正常进行。

对于不大的平面或近乎平面的工件如果条件允许，采用喷淋式蚀刻不管是效率或是精度都优于侵泡式蚀刻。所以，对于批量大、工件大小适中、形状简单的平面形状的工件以采用喷淋式为；如果工件外形较大，难以采用蚀刻机，工件形状复杂，批量不大，这式以采用侵泡式为宜。

NH4Cl浓度对蚀刻的影响：从溶液再生的化学反应式可以看出，[Cu(NH3)2]-的再生过程需要有大量的NH3-H2O和NH4Cl的存在，如果蚀刻机药液缺乏NH4Cl，将使[Cu(NH3)2]-得不到再生，蚀刻速度就会降低，以至于失去蚀刻能力。所以，NH4Cl的含量对蚀刻速度影响很大。但是，溶液中Cl-含量过高会引起抗蚀层侵蚀，一般浓度控制在150g/L左右为宜。

温度对蚀刻速度的影响：当蚀刻温度低于40℃时，蚀刻速度很慢，而蚀刻速率过慢会增大侧蚀量，影响蚀刻精度。温度高于60℃，蚀刻速率明显加快，但氨的挥发量也大大增加，导致环境污染的同时使溶液中化学成分比例失调，故一般蚀刻机工作温度控制在45℃~55℃为宜。