天津市合康双盛光电信息技术有限公司于2004年成立，是一家***从事光通信器件的研发、生产及销售的大型光电信息技术公司。十年来，本公司不断秉承以用户需要为中心，在专注光通讯器件研发的同时，从2005年开始研究开发氧化锆陶瓷转接陶瓷套筒。

 氧化锆陶瓷一般可以使用一年，虽然部分随着水流冲走，但是还有些存留在硝化菌空隙里，慢慢的堆积到后面就把空隙堵塞了。陶瓷环寄生效果就会逐渐降低，所以需要定期更换的。

 随着时间的推移，您会发现“陶瓷”的颜色“白”-“黄”-“深黄”，这是由于水里的杂质已经把“陶瓷”的表面空隙堵塞了，即使是清洗也不会达到满意的效果!

 普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等;95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件;85瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属封接，有的用作电真空装置器件。

 提起陶瓷材料，人人往往容易将其与脆弱联系起来，但实际上由于氧化铝陶瓷添加了特殊的材料，因此在物理性能方面，与传统陶瓷相比要优越的多。合格的氧化铝陶瓷制品硬度水平很高，在挤压、冲撞情况下不会发生损伤。

氮化硅陶瓷

氮化硅（Si3N4）陶瓷是非氧化物陶瓷中发展较快的一种工程陶瓷，硅、氮之间以共价键结合形成［SiN4］四面体结构单元，使陶瓷具有高强度、高硬度、优良的氧化和耐腐蚀性能。这些优异性能很大程度上取决于原料粉体的性能，因此高纯度、高α相含量、粒径分布窄的氮化硅粉体的制备至关重要。氮化硅粉体的合成方法主要有直接氮化法、碳热还原法、等离子法等，其中直接氮化法因工艺简单，生产过程中***副产物以及产品可重复性好，是目前工业化生产中常用的方法。

氮化硅有两种结晶形态，即细颗粒状的α-Si3N4和针柱状的β-Si3N4。坯体中细颗粒的α-Si3N4在烧结温度下可转变为针柱状的β-Si3N4，起到自增韧的作用，因此氮化硅陶瓷比碳化硅陶瓷具有更高的强度和韧性，更适合制备刀具、轴承等需要高强度和高韧性的陶瓷制品。氮化硅刀具通常采用热压烧结，以降低温度、***晶粒长大、提高其致密化程度。氮化硅陶瓷轴承材料不仅需要高的强度和韧性，而且对晶粒尺寸和致密化的要求也很高。为此，常采用两次烧结的工艺，即先用气压烧结至相对密度90％以上，使表面气孔基本封闭，然后再进行热等静压烧结，使其相对密度达到99.8％以上。

传统的氧化锆陶瓷干压技术只能用在产品成型后处理阶段，使产品不能满足客戶对产品形狀及批量化的需求，现如今我们采用***成型技术和并通过良好的收缩比控制以及后期的加工，使得氧化锆陶瓷零件都可适用于模具，夹具和模具的各类精密生产设备。

光模块损坏常见原因分析1．光口污染和损伤由于光接口的污染和损伤引起光链路损耗变大，导致光链路不通。产生的原因有：a、光模块光暴露在环境中，光口有灰尘进入而污染；b、使用的光纤连接器端面已经污染，光模块光口二次污染；c、带尾纤的光接头端面使用不当，端面划伤等；d、使用劣质的光纤连接器；e、插拔不当，陶瓷套筒损坏等。2．ESD 损伤ESD 是ElectroStatic Discharge 缩写即”静电放电”，是一个上升时间可以小于1ns（10 亿分之一秒）甚至几百ps（1ps＝10000 亿分之一秒）的非常快的过程，ESD 可以产生几十Kv/m甚至更大的强电磁脉冲。静电会吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命；ESD的瞬间电场或产生的热，使元件受伤，短期仍能工作但寿命受到影响；甚至***元件的绝缘或导体，使元件不能工作（完全***）。ESD 是不可避免，除了提高电子元器件的抗ESD 能力，重要的是正确使用，引起ESD 损伤的因素有：a、环境干燥，易产生ESD；b、不正常的操作，如：非热插拔光模块带电操作；不做静电防护直接用手接触光模块静电敏感的管脚；运输和存放过程中没有防静电包装；c、设备没有接地或者接地不良。