低压半桥驱动的报价-浙江低压半桥驱动-明达微电子有限公司
作者:上海明达微电子2020/6/20 3:35:41
本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年,于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司,已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称,是***认定的集成电路设计企业。在公司发展历程中积累了丰富的产品设计经验,并形成了完善的生产协作体系,也打下了良好的生产管理基础。

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计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况,低压半桥驱动的质量,坏情况和真实情况。建议采用针坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在场效应管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及大的结温。





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五年甚至更长的时间内,场效应管仍会占据主导的位置。场效应管也仍将是众多刚入行的工程师都会接触到的器件,本期内容将会从基础开始,探讨场效应管的一些基础知识,包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等为大家做一些介绍。

一.场效应管的基础选型

场效应管有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。




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