Y***0大功率IGBT全直流参数自动测试系统

 

1、系统简介

我公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有YB6500***半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在IGBT半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到***水平。

目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构, 主极电流100A/200A/400A/500A/700A/1000A/1250A可选。

该产品可测试IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,r CE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证0.5%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品***水平。

可以扩展测试其他半导体分立元器件。

2、主极参数

1）、主极电压：0--2000V

2）、电压分辨率：1mV  

3）、主极电流：0---50A 

电流向上可扩展到： 100A,   200A,  400A,   500A ，700A,  1000A， 1250A。

4）、电流分辨率：1nA  加选件YB550分辨率为1pA 

   5）、电流精度：1%+10nA+20pA/V  

   6）、测试速度：0.5MS/参数

 

 3、绝缘栅大功率晶体管IGBT测试仪参数及精度

 

 

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
ICES     IGESF IGESR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2）	100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A	1nA(50pA)（1）	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1）
BVCES	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA    -100mA            -50mA	5mV	1%＋100mV
VGETH	0.10V- 20.0V(80V)（2）	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数)	VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF:  0.10V - 9.99V	IC: 10μA-1250A        - 1250A IGE、IF:    100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV IC,IF:  1%+100nA IGE: 1%+5nA

 

（1）    需要YB550选件

（2）    需要栅极80V选件

 

该IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器, 从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比, 该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试, 具有更高的使用效率。与国外同类产品相比, 该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质***服务。

 

4系统主要特征

★Y***0X IGBT测试系统是我公司从国外引进的国产化项目。该IGBT测试仪目前已通过国内两家计量站的综合检测认定。经过与国内其他测试系统对比使用，YB测试系统在系统硬件的可靠性、稳定性、功率范围、测试范围、系统测试精度、测试参数的一致性等多项指标已远远超过国内产品。 YB测试系统目前是国内******好的IGBT测试仪器。