称之为光生电子空穴对(light-generatedelectron-holepairs)。显然,给耦合器输入一个电信号，发光器件就发光,光被光接收1器件接收后，又转成换成电信号输出。电子空穴对的数目越多导电的效果也越好，因为光使得导电效果变好的现象称之为光导效应(photoconductiveeffect)。自由电子与空穴的多寡对电气特性有很大的影响，越多的自由电子与空穴可以使导电性增加，同时也可以使输出电流增加，因此可以推测阳光越强时生成的自由电子与空穴越多，则输出电流也越大。然而如果只是单纯的产生自由电子与空穴，将会因为摩擦及碰撞等因素失去能量，后自由电子会与空穴复合而无法利用。

半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要有：利用半导体光敏特性工作的光电导器件、利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。6、热光伏特1效应，将不能进行光伏效应的太阳能通过晶格振动的多声子吸收转化为可以进行光伏效应的光能，从而提高太阳能电池的效率。一、 光电导器件半导体材料的光敏特性，即当半导体材料受到一定波长光线的照射时,其电阻率明显减小,或说电导率增大的特性。这个现象也叫半导体的光电导特性。利用这个特性制作的半导体器件叫光电导器件。

制作光敏电阻的材料主要有硅、锗、硫化1镉、锑化铟、硫化铅、硒化镉、硒化铅等。硫化1镉光敏电阻对可见光敏感,用硫1化镉单晶制造的光敏电阻对X射线、γ射线也敏感；硫化铅和锑化铟对红线外线光敏感。应用随着传统燃料能源的减少以及对环境造成的危害也越来越严重,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈，越来越多的***制定了大力发展太阳能的计划。利用这些光敏电阻可以制成各种光探测器。感光面积大的光敏电阻,可以获得较大的明暗电阻差。如国产625-A型硫化1镉光敏电阻,其光照电阻小于50千欧,暗电阻大于50兆欧。2、光电二极管光电二极管的管芯也是一个PN结,只是结面积比普通二极管大,便于接收光线。

硅光电池就是一个大面积PN结。光照可以使薄薄的P型区产生大量的光生载流子。光电阴极受强光照射后，由于发射电子的速率很高，光电阴极内部来不及重新补充电子，因此使光电倍增管的灵敏度下降。这些光生电子和空穴，会向PN结方向扩散。扩散过程中，一部分电子和空穴复合消失,大部分扩散到PN结边缘。在结电场的作用下，大部分光生空穴被电场推回P型区而不能穿越PN结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越PN结，到达N型区。随着光生电子在N型区的积累及光生空穴在P型号区的积累，会在在PN对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。