在负载RL中有电流流过，其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。光照强处对应阻值较小，流过负载RL的电流就较大，因而RL两端产生的压降也就较大。负载电阻RL上形成电压就是摄像管输出的图像信号。与较亮像素对应的靶单元阻值较小，与较暗像素对应的靶单元阻值较大，这样一幅图像上各像素的不同亮度就表现为靶面上各单元的不同电阻值，原来按照明暗分布的“光像”就变成了相应的“电像”。光电转换过程（图像的摄取过程）：被摄景物通过摄像机的光学镜头在光电靶上成像，被电子束将这幅图像分解为像素，同时把各个像素的亮度转变为在负载电阻RL上大小不同的电压降，从而形成摄像管输出信号。

传感器技术中很重要的一类称为光传感器。光传感器通常是指紫外到红外波长范围的传感器，其类型可分为量子探测器和热探测器两类。本实验将介绍常用的量子探测器或称光子探测器，它是利用材料的光电效应制作成的探测器，故也称为光电转换器。其主要参数有响应度(灵敏度)、光谱响应范围、响应时间和可探测的***1小辐射功率等。太阳能电池对光电转换材料的要求是转换效率高、能制成大面积的器件，以便更好地吸收太阳光。光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今，光电转换器件获得了突飞猛进的发展，目前各种光电转换器件已广泛地应用在各行各业。

常用的光电效应转换器件有光敏电阻、光电倍增器、光电池、PIN管、CCD等。光电倍增器是把微弱的输入转换为电子，并使电子获得倍增的电真空器件。当光信号强度发生变化时，阴极发射的光电子数目相应变化，由于各倍增极的倍增因子基本上保持常数，所以阳极电流亦随光信号的变化而变化，此即光电倍增管的简单工作过程。N型半导体及P型半导体虽然带有自由电子或空穴但本身仍然保持电中性，如果N型半导体及P型半导体内杂质浓度均匀分布则内部没有电场存在。由此可见，光电倍增管的性能主要由光阴极、倍增极及极间电压决定。光电阴极受强光照射后，由于发射电子的速率很高，光电阴极内部来不及重新补充电子，因此使光电倍增管的灵敏度下降。