导致靶面各单元的电阻值不同。自由电子可能会因为摩擦或碰撞等因素损失能量，***后受到空穴的吸引而复合。与较亮像素对应的靶单元阻值较小，与较暗像素对应的靶单元阻值较大，这样一幅图像上各像素的不同亮度就表现为靶面上各单元的不同电阻值，原来按照明暗分布的“光像”就变成了相应的“电像”。从电子枪阴极发出的电子，在电子枪电场作用下高速射向靶面，并在偏转磁场作用下按照扫描规律扫过靶面上的各个单元。当电子束接触到靶面某个单元时，使阴极、光电靶、负载电阻RL及电源E构成一个回路。

为更有效的利用由电子与空穴来产生电流，因此必须加入电场使自由电子与空穴分离进而产生电流。半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。1产生电场的方式很多如PN接面、金属半导体接面等，其中***1常用的方式为PN接面。提高自由电子浓度常用的方法是在硅中加入少量的五价原子，五价原子的四个价电子与硅键结后剩下一个价电子，使剩下的价电子游离只需要0.05ev，比原来的1.1ev小很多，在室温超过200度k时即可使所有杂质产生自由电子，同样在硅中加入少量的三价原子可以提高空穴浓度。

制作光敏电阻的材料主要有硅、锗、硫化1镉、锑化铟、硫化铅、硒化镉、硒化铅等。硫化1镉光敏电阻对可见光敏感,用硫1化镉单晶制造的光敏电阻对X射线、γ射线也敏感；硫化铅和锑化铟对红线外线光敏感。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等CCD(ChargeCoupledDevice)即电荷耦合器件，通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输，在其输出端产生一时序信号。利用这些光敏电阻可以制成各种光探测器。感光面积大的光敏电阻,可以获得较大的明暗电阻差。如国产625-A型硫化1镉光敏电阻,其光照电阻小于50千欧,暗电阻大于50兆欧。2、光电二极管光电二极管的管芯也是一个PN结,只是结面积比普通二极管大,便于接收光线。