称之为光生电子空穴对(light-generatedelectron-holepairs)。如果入射光强度太高，导致器件内电流太大，以至于电阴极和倍增极因发射二分解，就会造成光电倍增管的永1久性波坏。电子空穴对的数目越多导电的效果也越好，因为光使得导电效果变好的现象称之为光导效应(photoconductiveeffect)。自由电子与空穴的多寡对电气特性有很大的影响，越多的自由电子与空穴可以使导电性增加，同时也可以使输出电流增加，因此可以推测阳光越强时生成的自由电子与空穴越多，则输出电流也越大。然而如果只是单纯的产生自由电子与空穴，将会因为摩擦及碰撞等因素失去能量，***后自由电子会与空穴复合而无法利用。

半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。随着科技的进步，CCD技术日臻完善，已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络1电话等领域。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。电从原子中逃逸出来,必须吉凶服原子的束缚而做功，而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度,从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。

如果入射光强度太高，导致器件内电流太大，以至于电阴极和倍增极因发射二分解，就会造成光电倍增管的永1久性波坏。N型半导体中自由电子浓度较高，因此自由电子由N型半体向P型半导体扩散，同样的空穴会由P型半导体向N型半导体扩散。因此，使用光电倍增管时，应避免强光直接入射。光电倍增管一般用来测弱光信号。光电池是把光能直接变成电能的器件，可作为能源器件使用，如卫1星上使用的太阳能电池。它也可作为光电子探测器件。光电二极管有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管两种。半导体pn结区附近成为耗尽层，该层的两侧是相对高的空间电荷区，而耗尽层内通常情况下并不存在电子和空穴。