只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子(电子-空穴对)，太阳能工程，载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等CCD(Charge Coupled Device)即电荷耦合器件，通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输，太阳能安装，在其输出端产生一时序信号。随着科技的进步，CCD技术日臻完善，太阳能多少钱，已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络1电话等领域。

硅光电池就是一个大面积PN结。光照可以使薄薄的P型区产生大量的光生载流子。这些光生电子和空穴，会向PN结方向扩散。扩散过程中，一部分电子和空穴复合消失，大部分扩散到PN结边缘。在结电场的作用下，大部分光生空穴被电场推回P型区而不能穿越PN结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越PN结，到达N型区。随着光生电子在N型区的积累及光生空穴在P型号区的积累，太阳能，会在在PN对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。




















光电效应当电子从外界获得能量时将会跳到较高的能阶，获得的能量越多跳的能阶也越高，电子处在较高的能阶时并不稳定，很快就会把获得的能量释放回到原来的能阶。如果电子获得的能量够高就摆脱原子核的束缚成为自由电子，电子空出来的位置则称为空穴。自由电子可能会因为摩擦或碰撞等因素损失能量，***后受到空穴的吸引而复合。例如，硅的***外层电子要成为自由电子需要吸收1.1ev的能量，当硅***外层电子吸收到的光能量超过1.1ev时将会产生自由电子及空穴

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