IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    IGBT整流可以将UPS的功率因数提高接近至1，从而在根本上解决电网回溃干扰的问题。

    增加整流器的脉冲数会减少高次谐波电流的次数及数值。若采用6脉冲叠加的方式，即12脉冲、18脉冲、24脉冲，则随着脉冲数的增加，电源侧输入谐波电流也随着降低，但会导致整流结构复杂、成本增加及可靠性降低。一般大于12脉冲较少有实际采用。使用IGBT整流技术的整流器利用高频切换脉宽调制电流，达到正弦波式输人电流的目的。IGBT整流技术可将输入谐波电流降***低，IGBT整流技术还不受负载量的影响，克服了滤波器效率随功率大小变化的问题，滤波器实现无输入电流真正正弦波输入。IGBT整流技术的UPS单一的输入功率因数>0．99，对于电网表现为近似纯阻性负载。IGBT整流技术的优势明显。目前对于大功率三相整流电路进行功率因数校正通常只能做到无源功率因数补偿，6脉冲整流不加滤波器仅为0．65左右，12脉冲整流仅为o．8左右，而且滤波器体积大、重量高、价格昂贵。

    IGBT整流技术的整流器是利用高频切换脉宽来调制电流来达到正弦波输入电流的目的，可将输入谐电波电流降***低。IGBT整流技术不受负载量的影响、克服了滤波器效率随功率大小变化的问题，达到实现无输入电流真正正弦波输入。

    简而言之，使用IGBT整流技术的UPS电源具有重量轻，拓扑结构简单的特点，稳定性更高，电流谐波值小，可以适应各种负载，***与负载多寡无关，且组件少、体积小，无共振及过容量***。使用IGBT整流技术的UPS可以实现双向保护，除了可以降低自身对电网的污染外，还可以消除所带负载对电网谐波污染和校正功率因数。

    采用IGBT整流技技术，为UPS后端提供纯净的正弦波，对于电网前端其所带的负载组表现为低谐波的近似阻性负载。