真空镀膜技术一般分为两大类，即物***相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。物***相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物***相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。真空镀膜是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术,在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。

物***相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。同时，物***相沉积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下，因此可作为***终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。由于采用物***相沉积工艺可大幅度提高刀具的切削性能，人们在竞相开发高i性能、高可靠性设备的同时，也对其应用领域的扩展，尤其是在高速钢、硬质合金和陶瓷类刀具中的应用进行了更加深入的研究。(5)由于镀膜设备的不断改进，镀膜过程可以实现连续化，从而大大地提高产品的产量，而且在生产过程中对环境无污染。

基体外表状况对掩盖才能的影响

　　基体资料的外表状况是影响掩盖才能的主要要素之一。实习标明，金属在不一样基体资料上电堆积时，同一镀液的掩盖才能不一样也很大。如用铬酸溶液镀铬，金属铬在铜、镍、黄铜和钢上堆积时，镀液的掩盖才能顺次递减。这是因为当金属离子在不一样的基体资料上复原堆积时，其过电位的数值有很大的不一样。过电位较小的分出电位较正，即便在电流密度较低的部位也能到达其分出电位的数值，因而其掩盖才能较好。这是因为当金属离子在不一样的基体资料上复原堆积时，其过电位的数值有很大的不一样。