真空镀膜技术一般分为两大类，即物***相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。它是以化学反应的方式制作薄膜，原理是一定温度下，将含有制膜材料的反应气体通到基片上并被吸附，在基片上产生化学反应形成核，随后反应生成物脱离基片表面不断扩散形成薄膜。物***相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物***相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。

真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：

(1)各种镀膜技术都需要一个特定的真空环境，以保证制膜材料在加热蒸发或溅射过程中所形成蒸气分子的运动，不致受到大气中大量气体分子的碰撞、阻挡和干扰，并消除大气中杂质的不良影响。

(2)各种镀膜技术都需要有一个蒸发源或靶子，以便把蒸发制膜的材料转化成气体。真空卷绕镀膜真空卷绕镀膜是一种利用物***相沉积的方法在柔性基体上连续镀膜的技术，以实现柔性基体的一些功能性、装饰性属性。由于源或靶的不断改进，大大扩大了制膜材料的选用范围，无论是金属、金属合金、金属间化合物、陶瓷或有机物质，都可以蒸镀各种金属膜和介质膜，而且还可以同时蒸镀不同材料而得到多层膜。

厚度均匀性主要取决于：

1、基片材料与靶材的晶格匹配程度

2、基片表面温度

3、蒸发功率，速率

4、真空度

5、镀膜时间，厚度大小。

组分均匀性：

蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。

晶向均匀性：

1、晶格匹配度

2、基片温度

3、蒸发速率

对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。