从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，

以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状，通以电流，pvd真空镀膜，加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质，电阻加热源主要用于蒸发Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。

基体外表状况对镀层布局的影响

　　真空镀膜层是由晶体或晶粒组成的，晶体的大小、形状及摆放方法决议着镀层的布局特性。在各种不一样的电镀液中，真空镀膜，金属镀层的布局特性也是不一样的，手机真空镀膜，主要是堆积进程不一样所造成的。开端电镀时，基体资料外表首要生成一些纤细的小点，即结晶核，跟着时刻添加，单个结晶数量添加，并相互衔接成片，构成镀层。

物***相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。同时，物***相沉积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下，玻璃真空镀膜，因此可作为***终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。由于采用物***相沉积工艺可大幅度提高刀具的切削性能，人们在竞相开发高i性能、高可靠性设备的同时，也对其应用领域的扩展，尤其是在高速钢、硬质合金和陶瓷类刀具中的应用进行了更加深入的研究。

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