数字集成电路设计操作？

C设计，掌握硬件描述语言和数字电路设计基础知识固然是非常重要的，此外工具的使用也很重要。人和其它动物的重要区别就是，人可以制造和使用工具。借助工具可以大大提高工作效率。

一、介绍

synopsys ic compiler (v2005.linux)是基于Galaxy设计平台开发的产品。主要的工具有：

LEDA

LEDA是可编程的语法和设计规范检查工具，它能够对全芯片的VHDL和Verilog描述、或者两者混合描述进行检查，加速SoC的设计流程。 LEDA预先将IEEE可综合规范、可规范、可测性规范和设计服用规范集成，提高设计者分析代码的能力

VCS

VCS是编译型Verilog模拟器，它完全支持OVI标准的Verilog HDL语言、PLI和SDF。 VCS具有目前行业中的模拟性能，其出色的内存管理能力足以支持千万门级的ASIC设计，而其模拟精度也完全满足深亚微米ASIC Sign-Off的要求。VCS结合了节拍式算法和事件驱动算法，具有、大规模和的特点，适用于从行为级、RTL到Sign-Off等各个阶段。VCS已经将CoverMeter中所有的覆盖率测试功能集成，并提供VeraLite、CycleC等智能验证方法。VCS和Scirocco也支持混合语言。VCS和Scirocco都集成了Virsim图形用户界面，它提供了对模拟结果的交互和后处理分析。芯片组(Chipset)是主板的核心组成部分，按照在主板上的排列位置的不同，通常分为北桥芯片和南桥芯片。

Scirocco

Scirocco是迄今为止的VHDL模拟器，并且是市场上为SoC验证度身定制的模拟工具。它与VCS一样采用了革命性的模拟技术，即在同一个模拟器中把节拍式模拟技术与事件驱动的模拟技术结合起来。Scirocco的高度优化的VHDL编译器能产生有效减少所需内存，大大加快了验证的速度，并能够在一台工作站上模拟千万门级电路。这一性能对要进行整个系统验证的设计者来说非常重要。NanoSim(Star-SIMXT)NanoSim集成了业界的电路技术，支持Verilog-A和对VCS器的接口，能够进行电路的工具，其中包括存储器和混合信号的。

IC常见的问题

EM (electron migration，电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其彻底***IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。tf文件--technologyfile，Foundry厂提供的标准单元、宏单元和I/OPad的库文件就与FRAM,CELLview,LMview形式给出(Milkway参考库andDB,LIBfile)2。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 ： SiOHSiOH

MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。

IC半导体的基础知识(一)

一、物理基础 所有物质按照导电能力的差别可分为导体、半导体和绝缘体三类。半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。或者说，半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有：元素半导体硅(Si)和锗(Ge)、化合物半导体(GaAs)等。导体的电阻率在10-4Ω?cm以下，如铜的电阻率为1.67×10-6 Ω?cm，绝缘体的电阻率在1010 Ω?cm以上，半导体的电阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之间，与导体的电阻率相比较，半导体的电阻率有以下特点。的音频放大器芯片NE5532生命周期长达30年，至今依然是多款音响设备的标配芯片。

1.对温度反映灵敏

导体的电阻率随温度的升高略有升高，如铜的电阻率仅增加0.4%左右，但半导体的电阻率则随温度的上升而急剧下降，如纯锗，温度从20℃上升到30℃时，电阻率降低一半左右。

2.杂质的影响显著

金属中含有少量杂质其电阻率不会发生显著变化，但是，极微量的杂质掺在半导体中，会引起电阻率的极大变化。如在纯硅中加入百万分之一的硼，就可以使硅的电阻率从2.3×105 Ω?cm急剧减少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改变电阻率

例如，有些半导体(如)受到光照时，其导电能力会变得很强；当无光照时，又变得像绝缘体那样不导电，利用这种特性可以制成光敏元件。而金属的电阻率则不受光照的影响。

温度、杂质、光照对半导体电阻率的上述控制作用是制作各种半导体器件的物理基础。

数字IC测试系统的发展

随着数字集成电路性能的不断提高,数字集成电路测试系统也相应得到了迅速发展。主要表现在以下几方面: 测试通道数增加数字电路集成度的不断提高和专用集成电路的出现,器件的引脚数不断增加,使得数字测试系统的测试通道数相应不断增加。Region(II)被称为使用期（Usefullifeperiod）在这个阶段产品的failurerate保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等。由测试中、小规模集成电路的24通道测试系统,测试大规模集成电路的48通道、64通道测试系统发展到测试超大规模集成电路的128通道、256通道甚至更多通道数的测试系统。

深圳瑞泰威科技有限公司是国内IC电子元器件的代理销售企业，***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。与国内外的东芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶准等均稳定合作，保证产品的品质和稳定供货。这种高速膨胀，取决于不同封装结构材料的热膨胀系数（CTE）速率不同，可能产生封装所不能承受的压力。自公司成立以来，飞速发展，产品已涵盖了工控类IC、光通信类IC、无线通信IC、消费类IC等行业。