?MOS管驱动要求

良好的MOSFET驱动电路需要满足以下要求：

1、开关管开启瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流，国产驱动ic芯片企业，使MOSFET栅源极之间的电压迅速上升到所需的值，以保证开关管能迅速开启，且无高频振荡沿上升方向。

2、开关导通期间的驱动电路能够保证MOSFET栅源间电压的稳定和可靠导通。

3、关断瞬时驱动电路为MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放提供了尽可能低的阻抗，保证了开关管的快速关断。

4、驱动电路结构简单可靠，损耗小。

5、视情况实行隔离。

驱动电路时应考虑哪些因素

近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：

（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，栅极电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。

（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。

（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。

（4）驱动信号有时要求电气隔离。

以PWM DC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，功放驱动ic芯片损坏，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离为简单，驱动ic芯片，而在大功率的应用场合，液晶驱动ic芯片资料，则要使用集成驱动器驱动。

驱动IC：LED就是发光二极管，当二极管的数量多或者管子比较耗电量大时就需要驱动了，而且是几级驱动，抄把这几级驱动做到一个集成的电子芯片里，这个芯片就叫驱动IC，简单说就是发挥给二极管提供补偿电流的作用。

led驱动ic的工作原理：

芯片内含恒生电路，可透过电阻来设定输出恒流值。透过芯片的使能端可百以控制输出通道的开关时间，切度换频率达一兆赫(1MHz)。电流输出反应极快，支持高色阶变化及高画面刷新率的应用。内建开路侦测， 过热断电，及过电流保护功能，使应用系统的可靠性大为提升。

驱动方法：

· 利用知电流值的调节方法

· 利用脉冲幅变调技术的调节方法

电流值的调节方法主要是改变电流值调节的亮度，此处假设 时的光度为1倍，白光的光度与电流变化时的光度变成1.7倍，此时的光度变成3倍，虽然照度与电流值并不是比例关系，道不过红光却呈比例关系，主要原因是红、绿、蓝的晶片物性彼此相异所致。

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