I老化原因？C

为什么老化跟时间有关？

为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己***的，所以基于断键的老化效应都有***模式。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进***模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入***模式。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。

为什么老化跟温度有关？

为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，Si?HSi?H键断键几率就大。

为什么加压会加速老化？

为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的***效应，自然老化就快了。

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数字集成电路和模拟ic的难度系数相较于大一些，由于好的商品所必须的像上边我常说的那般一个巨头级別的室内设计师太少了。除了天赋勤奋的要素以外，更必须长期的打磨抛光。因此 ******强的数字集成电路高手，绝大多数全是饱经沧桑的老大爷。以一辈子的工作经验去渐渐地打磨抛光一款商品。

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***讨论了数字IC自动测试设备中两种关键的测试技术:逻辑功能测试和直流参数测量，在系统分析其工作原理和测试方法的基础上，设计了硬件电路，并通过实验平台分别验证了电路的测试功能。 在IC自动测试设备中，实现直流参数测量的模块称为参数测量单元(Parametric Measurement Unit，PMU)。PMU的测量方法有两种，加压测流和加流测压。为了验证所设计的直流参数测试单元硬件电路，在的第四章介绍了一种构建简单自动测试系统的验证方法。

针对一种DC-DC开关电源转换芯片，首先详细分析了该芯片各项参数的测试原理，设计了以MCU作为控制核心、集成2个PMU和其他一些硬件电路的简单测试板;然后根据芯片的测试要求设计了流程控制程序;后，通过实验验证了测试板的PMU能够满足参数测量精度要求。 的后部分，详细列出了直流参数测量单元验证板对19片WAFER的测试统计数据。实验表明，PMU模块的电压测试精度为0.5%以内，微安级电流的测试精度为5%以内，自动测试过程中没有出现故障。验证了PMU模块能够满足数字IC自动测试设备的直流参数测试要求。

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