TMR/超导复合式磁传感器

1995 年，由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组***发现，将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构，称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中，中间的绝缘层很薄(几个纳米)，使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转，并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时，左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿，左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿，盐田区温度传感器，MTJ 处于低阻态；当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时，左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿，而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿，MTJ 呈现高阻态。

由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm)，使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明，减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升；若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内，磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距，从而提高器件的灵敏度。

光电传感IC

光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，集成温度传感器，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。

M8101.是一款专门应用于光电感应测控领域，红外温度传感器，针对PLC/单片机。工控设备等光电应用控制芯片。芯片表面封合了高敏光信号接收管。发射管通过新品托内部调制，能够的避免误动作及环境光干扰。针对光感元器件长久以来面对的长距离对射、漫反射镜面反射等复杂的场景，M8101都能做到处理。茂捷半导体工匠精神的支撑下面对数百万次的密集测试，在长距离对射、漫反射场景中M8101所表现的精度能超越国际厂商1.54代以上。并且M8101精简的外围器件设计。在此茂捷半导体沿用的超小封装QFN4*4的封装形式。使其能广泛的应用于各类及其苛刻的设计环境。

将电阻应变片粘贴在弹性元件特定表面上，当力、扭矩、速度、加速度及流量等物理量作用于弹性元件时，什么是温度传感器，会导致元件应力和应变的变化，进而引起电阻应变片电阻的变化。电阻的变化经电路处理后的以电信号的方式输出，这就是电阻应变片传感器的工作原理。

电阻应变片应用的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。金属电阻应变片又有丝状应变片和金属箔状应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。这种应变片在受力时产生的阻值变化通常较小，一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路（通常是 A/D 转换和 CPU ）显示或执行机构。

半导体应变片是利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的弹元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。

红外温度传感器-盐田区温度传感器-数字Ic电子驱动ic由深圳市瑞泰威科技有限公司提供。“各类驱动IC,存储IC,传感器IC,触摸IC销售,”就选深圳市瑞泰威科技有限公司（www.rtwkj.com），公司位于：深圳市南山区桃源街道峰景社区龙珠大道040号梅州大厦1511，多年来，瑞泰威科技坚持为客户提供好的服务，联系人：范清月。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。瑞泰威科技期待成为您的长期合作伙伴！同时本公司（www.rtwcc.com）还是从事电阻器生产厂，各类IC电子元器件销售，芯片电阻批发的厂家，欢迎来电咨询。