根据CMOS数字IC管脚间的等效结构,给出了无偏置时任意两管脚之间的电压;其次,探讨了地开路时的输出管脚的状态;然后,数字ic推荐教材,提取了电源浮空时的等效电路;后,利用所提取的等效电路,对二极管结构电源浮空电位和浮阱结构电源浮空电位进行了计算。
深圳瑞泰威科技有限公司是国内IC电子元器件的代理销售企业,***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售,品类齐全,具备上百个型号。与国内外的东芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶准等均稳定合作,保证产品的优质品质和稳定供货。自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了工控类IC、光通信类IC、无线通信IC、消费类IC等行业。
为什么老化跟时间有关?
为什么电路速度会随时间原来越慢呢?因为断键是随机发生,需要时间积累。另外,前面提到的断裂的Si-H键是可以自己***的,所以基于断键的老化效应都有***模式。对于NBTI效应来说,加反向电压就会进***模式;对于HCI效应来说,停止使用就进入***模式。但是这两种方式都不可能长时间发生,所以总的来说,芯片是会逐渐老化的。
为什么老化跟温度有关?
为什么电路速度跟温度也有影响呢?温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高,电子运动越剧烈,Si?HSi?H键断键几率就大。
为什么加压会加速老化?
为什么加压有影响呢?同样的晶体管,供电电压越高偏移电压越高,偏移电压越高氢原子游离越快,等于压制了自发的***效应,自然老化就快了。
深圳瑞泰威科技有限公司是国内IC电子元器件的代理销售企业,***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售,品类齐全,具备上百个型号。
尺寸缩小有其物理限制
不过,制程并不能无限制的缩小,当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时,就会遇到量子物理中的问题,数字ic干什么的,让晶体管有漏电的现象,抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式,就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图。在 Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象。
(Source:www.slideshare.net)
更重要的是,藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图),接触面只有一个平面,但是采用 FinFET(Tri-Gate)这个技术后,接触面将变成立体,可以轻易的增加接触面积,这样就可以在保持一样的接触面积下让 Source-Drain 端变得更小,对缩小尺寸有相当大的帮助。
后,则是为什么会有人说各大厂进入 10 奈米制程将面临相当严峻的挑战,主因是 1 颗原子的大小大约为 0.1 奈米,在 10 奈米的情况下,一条线只有不到 100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,南沙区数字ic,就会产生不的现象,影响产品的良率。
如果无法想象这个难度,可以做个小实验。在桌上用 100 个小珠子排成一个 10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,后使他形成一个 10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。
随着三星以及台积电在近期将完成 14 奈米、16 奈米 FinFET 的量产,两者都想争夺 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工,我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机,要感谢摩尔定律所带来的好处呢。
版权所有©2025 产品网