测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。

IGBT动态参数测试系统技术要求

1、设备概述

该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。

2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。

技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1）功能

GBT模块动态参数测试。

*2）测试对象

被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标

测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；