产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,地铁专用IGBT测试仪价格,电气自动化设备,地铁专用IGBT测试仪批发,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。
测试参数:ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成,地铁专用IGBT测试仪现货供应,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,香港地铁专用IGBT测试仪,方便操作使用。
目的和用途该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数:1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ100~500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon:10W~250kW
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