7、测量配置

7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速电流探头；

7.3 高压差分探头。

8、测试参数应包括

8.1 开通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 关断：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向*** (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；

8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。

目的和用途 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

13）被测器件旁路开关 被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 ?电流能力 DC 50A ?隔离耐压 15kV ?响应时间 150ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 14）工控机及操作系统 用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下： ?机箱：4Μ 15槽上架式机箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL双核； ?大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。主板：研华SIMB； ?硬盘：1TB；内存4G； ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器； ?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?西门子PLC逻辑控制