3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

6）短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA（5ms） ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7）正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。 ?回路耐压 10kV ?放电电流 50A ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8）高压大功率开关 ?电流能力 2000A ?隔离耐压 10kV ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。