3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

8）高压大功率开关

?电流能力 200A

?隔离耐压 10kV

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

9）尖峰***电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量 200μF

?分布电感 小于10nH

?脉冲电流 200A

?工作湿度 <70%

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon：10W～250kW 关断时间测试条件： 1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;

6）短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA（5ms） ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7）正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kV ?放电电流 50A ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8）高压大功率开关 ?电流能力 2000A ?隔离耐压 10kV ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20kA（不小于10ms） ?本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%