测试参数： ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。

三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广； C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。

安全工作区测试负载电感

?电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）

?瞬态电压 大于10kV

?负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。

5）补充充电回路限流电感

限制充电回路中的di/dt。

?电感量 100μH

?电流能力 6000A （5ms）

?瞬时耐压 10kV

?工作温度室温～40℃

?工作湿度 <70%

7质量保证要求 ?卖方应通过ISO 9001质量论证。 ?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。 ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。 ?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。 ?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 ?以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。