大功率半导体器件为何有老化的问题？

任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。系统的测试原理符合相应的***标准，系统为***式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。

5、***负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge ： 15V；

6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5Ω；

目的和用途 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。工作湿度 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW