半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个独特的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。

IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：

?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；

?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；

?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；

?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；

安全工作区测试负载电感

?电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）

?瞬态电压 大于10kV

?负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。

5）补充充电回路限流电感

限制充电回路中的di/dt。

?电感量 100μH

?电流能力 6000A （5ms）

?瞬时耐压 10kV

?工作温度室温～40℃

?工作湿度 <70%

2.2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向***时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 测试条件： 1、正向电流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围：200～10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围：100～10000V/us