现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。安全技术要求：满足GB19517—2009***电气设备安全技术规范。

9、系统保护功能

9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。

9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。

9.3 系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。

9.4 操作系统带有多级权限。

9.5 系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。

10、样品夹具

10.1 有通用测试夹具。

10.2 带有62mm封装专用测试夹具

10.3 带有EconoPACK3封装专用测试夹具

10.4 带有34mm封装专用测试夹具

2.3栅极电荷技术条件 测试参数： 栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 测试条件： 1、栅极驱动电压：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V 2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求