测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

5、***负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge ： 15V；

6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5Ω；

6）短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA（5ms） ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7）正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kV ?放电电流 50A ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8）高压大功率开关 ?电流能力 2000A ?隔离耐压 10kV ?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。响应时间 150ms ?脉冲电流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%