产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。

3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on） tr

IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1）阈值电压测试电路 阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路） ?满足表格9测试参数要求 ?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路) ?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 ?高压充电电源：10~2kV连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V