测试参数： ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。

技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1）功能

GBT模块动态参数测试。

*2）测试对象

被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标

测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。