香港地铁专用IGBT测试仪批发厂家供应,华科半导体器件测试仪
作者:华科智源2020/8/7 5:02:51

半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。工作湿度 13)被测器件旁路开关被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。 半导体元件的每一个参数,依其极性的不同,都须要一个独特的测量电路,我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统,具有一组继电器形成的矩阵电路,依每个参数的定义,形成千变万化的电路,再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后,在极短的时间内将所须要的数据量测出来,且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。


参数名称 符号 参数名称 符号

开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)

上升时间 tr 下降时间 tf

开通时间 ton 关断时间 toff

开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff

栅极电荷 Qg

短路电流 ISC / /

可测量的FRD动态参数

反向***电流 IRM 反向***电荷 Qrr

反向***时间 trr 反向***损耗 Erec


公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良,具有***的检测手段,产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行,其品质、技术及工艺方面保持国内,部分产品达到国外同类产品的***水平。卖方由于自身原因而延迟交货时,买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业,部分产品出口到欧美等发达***。


3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源:10~1500V连续可调 ?支撑电容:额定电压2kV ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试,以确保出厂测试的参数真实有效。饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求:5~25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度: 200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定 4)栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V; ?小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V; ?脉冲时间:40~100ms可设定


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