检修用IGBT测试仪厂家信息推荐「多图」
作者:华科智源2020/8/6 5:50:18

目的和用途 该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。2关断:turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数: 1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns 4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon:10W~250kW


2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~ 15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求


3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义(见下图):栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td (on) ,集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ,则ton= td (on) tr


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