三、华科智源IGBT测试仪系统特征: A:测量多种IGBT、MOS管 B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广; C:脉冲宽度 50uS~300uS D:Vce测量精度2mV E:Vce测量范围>10V F:电脑图形显示界面 G:智能保护被测量器件 H:上位机携带数据库功能 I:MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障***) L:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3。
IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件,设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件,所有资料必须准备(正本、副本)各一份,电子版一份;操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。(正本、副本)技术资料,应至少有一份采用中文,另一份技术资料可以是英文或中文。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150~3300V 150~500V±3%±1V;
500~1000V±2%±2V;
1000~3300V±1%±5V; 150~3300V
Ic
集射极电流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A
Vge
栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;
0~ 30V±1%±0.1V -30V~30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;
Eon、Eoff
开通/关断能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;
50~200mJ±2%±1mJ;
200~1000mJ±2%±2mJ;
1000~5000mJ±1%±5mJ;
8)高压大功率开关
?电流能力 200A
?隔离耐压 10kV
?响应时间 150ms
?脉冲电流 20kA(不小于10ms)
?工作方式 气动控制
?工作气压 0.4MPa
?工作温度 室温~40℃
?工作湿度 <70%
9)尖峰***电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
?电容容量 200μF
?分布电感 小于10nH
?脉冲电流 200A
?工作湿度 <70%
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