测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。 功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。 IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。

产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。3半导体变流器变压器和电抗器 GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。

2.4短路技术条件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路电流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度：40—1000uS可设定 5、测试频率：单次 2.6 NTC测试技术条件 阻值测量范围：0～20KΩ