近两年IGBT测试仪持续火爆，新能源汽车，轨道交通，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，与国际品牌的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

大功率半导体器件为何有老化的问题？

任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?IGBT测试装置技术要求 （1）设备功能 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定