3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定

现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，封装用IGBT测试仪加工，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，带动MOSFET及IGBT的发展，封装用IGBT测试仪价格，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，浙江封装用IGBT测试仪，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

2.2反向***技术条件测试参数：1、Irr(反向***电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr (反向***电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1 uC50～200uC±5%±1 uC200～1000uC±5%±2 uC3、trr(反向***时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us

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