13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。?电流能力DC 50A?隔离耐压15kV?响应时间150ms?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，四川IGBT测试仪，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；?支持ATX母板；?CPΜ：INTEL双核；?主板：研华SIMB；?硬盘：1TB；内存4G；?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。?西门子PLC逻辑控制

静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，检修用IGBT测试仪批发，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的优质产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定

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