宁夏变频器用IGBT测试仪加工免费咨询 华科静态参数IGBT
作者:华科智源2020/6/12 2:19:40

1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括: 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能; 2. 图形化操作界面;中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块,达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格; *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比;当功率元件老化时,元件的内阻在导通时必定会加大,因而使温度升高,并使其效能降低。 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm


主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150~3300V 150~500V±3%±1V;

500~1000V±2%±2V;

1000~3300V±1%±5V; 150~3300V

Ic

集射极电流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A

Vge

栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;

0~ 30V±1%±0.1V -30V~30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;

Eon、Eoff

开通/关断能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;

50~200mJ±2%±1mJ;

200~1000mJ±2%±2mJ;

1000~5000mJ±1%±5mJ;


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