2.3栅极电荷技术条件测试参数:栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,高铁专用IGBT测试仪批发,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC测试条件:1、栅极驱动电压:-15V~ 15V±3%,分辨率±0.1V2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A;500~1000A±3%±5A;3、集电极电压:50~100V±3%±1V100~500V±3%±5V500V~1000V±3%±10V4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求
4验收和测试1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试,西藏高铁专用IGBT测试仪,买方确认测试合格通过后完成验收。2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作;负责免费培训并提供培训教材。培训后,应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,高铁专用IGBT测试仪加工,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域,高铁专用IGBT测试仪现货供应,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。
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