2.4短路技术条件1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V2、一次短路电流：20000A500～1000A±3%±2A1000A～5000A±2%±5A5000A～20000A±2%±10A3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脉冲宽度：40—1000uS可设定5、测试频率：单次2.6 NTC测试技术条件阻值测量范围：0～20KΩ

如何执行导通参数与漏电流的量测？

?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，检修用IGBT测试仪价格，亦必须在其所规定的限额内，否则，检修用IGBT测试仪厂家，便为不良品。

大功率I g b t模块测试系统简介

我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：

☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。

☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。

2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，检修用IGBT测试仪加工，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，宁夏IGBT测试仪，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求

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