IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的***标准，系统为***式单元，封装用IGBT测试仪厂家，封闭式结构，具有升级扩展潜能。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，香港封装用IGBT测试仪，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，封装用IGBT测试仪加工，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。

欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，封装用IGBT测试仪批发，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。

（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge： 0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE： 100-5000V±3%集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE： 0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE： 30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1***ge： 0V

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