三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广； C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？ 当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。

7、测量配置

7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速电流探头；

7.3 高压差分探头。

8、测试参数应包括

8.1 开通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 关断：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向*** (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；

8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。